薄膜形成装置

Nice{0}Tech CV600/CV700 シリーズは、化合物半導体エピタキシャル成長用のハイエンド量産 MOCVD デバイスです。独自の遊星衛星-二重回転技術を採用して、単一-ウェーハ-レベルの均一性でマルチ{6}}ウェーハ成長を実現します。

Nice{0}}Tech MC150/MC200/MC300 シリーズ MOCVD 装置は、密接結合垂直シャワーヘッド ガス注入モデルを採用しています。{4}高密度の千鳥状ソース ガス ノズルと制御可能な小さな注入距離による固有のエピタキシャル均一性の利点を備えています。-

このイオン ビーム蒸着装置は、赤外線デバイス製造における金属ワイヤとオーミック コンタクト薄膜の作製のために設計された高精度薄膜蒸着システムです。{0}

このデュアル チャンバー マグネトロン スパッタリング システムは、特に赤外線焦点面デバイス製造用に構築されています。-その主な機能は、高性能赤外線検出器の製造における重要なステップである、HgCdTe エピタキシャル層上に ZnS/CdTe 複合パッシベーション膜を堆積することです。

この縦型液相エピタキシャル炉は、HgCdTe 薄膜材料の液相エピタキシャル成長用に構築されており、P-on-N 構造検出器に使用される As- ドープ P- 型材料の製造に重点を置いています。

横型液相エピタキシャル炉は、HgCdTe 薄膜の液相エピタキシャル成長のために構築された専用のプロセス装置です。

当社の炭素膜スパッタリング装置は、SiC デバイス上に高温炭素膜保護層を堆積するために構築された専用システムです。{0}複数のプロセス チャンバーで構成できるクラスター アーキテクチャを使用しており、自動ウェーハ ロードおよびアンロード機能が付いています。

GaN-MOCVD は、高品質の窒化ガリウム (GaN) および関連化合物半導体薄膜の堆積用に設計された特殊なエピタキシャル成長装置です。-

当社の金属-有機化学蒸着（MOCVD）装置は、高品質のエピタキシャル材料の蒸着専用の中核となる製造ツールです。-これは、宇宙太陽電池、光通信、オプトエレクトロニクスの分野における重要な基礎材料であるガリウムヒ素 (GaAs)、リン化インジウム (InP)、窒化ガリウム (GaN) およびその他の化合物半導体エピタキシャル ウェーハの製造用に専門的に設計されています。

垂直 LPCVD TEOS/Poly/SiN は、半導体製造用の低圧化学気相成長システムです。{{0}高品質の Poly、TEOS、SiN、HTO 薄膜の成膜に使用されます。-

このマグネトロン スパッタリング システムは、半導体製造における金属薄膜の堆積用に構築されています。集積回路、パワーデバイス、高度なパッケージングで広く使用されています。

当社の分子線エピタキシー (MBE) システムは、化合物半導体材料、特に極薄ヘテロ構造材料専用の高精度エピタキシャル成長装置です。{{0}主に、GaAs pHEMT、VCSEL、HBT、APD、PIN、アンチモン-ベースの検出器、HgCdTe 検出器などの光電子デバイスおよびマイクロ電子デバイスの製造に使用されます。