製品概要

このウェーハメッキ装置は、12 インチの半導体ウェーハ専用に構築されており、デュアルダマシン銅相互接続プロセスに特化して調整されており、90 nm から 28 nm までのテクノロジーノードをカバーします。{0}
これは、シームレスなワークフローに必要なすべてのコンポーネントが詰め込まれた、完全に統合された主力製品です。ロードポート 3 つ、電気メッキチャンバー 4 つ、エッジベベル除去 (EBR) クリーニングチャンバー 4 つ、アニーリングチャンバー 8 つ、およびデュアル独立したバス配管システムです。作業を完了するために追加のアドオンは必要ありません。-
内部には、自動酸混合、真空/ガスモジュール、自動昇降陽極システムなど、めっきの品質を安定させるコア技術が搭載されています。{0}プロセスをさらに微調整したい場合は、-めっき液分析 (EC1) 機能を選択してください。-最適化を行って歩留まりを一定に保つのに最適です。

特徴 & C設定

最大3つのロードポート
最大 24 のめっきチャンバー: Cu、Ni、Sn/Ag、Au
最大 4 つのプリウェットチャンバー、4 つの SRD チャンバー-
ファウンテン型メッキセル設計、相互汚染のリスクなし
モジュール PM 設計、高いツール稼働時間
シール技術、優れたシール性能
陰極液/陽極液分離技術、優れた溶液安定性

アプリケーション

01/

コア分野:半導体フロントエンド製造（ウェーハ製造）-。

02/

主要なプロセス:12 インチウェーハ用のデュアルダマシン銅相互接続電気めっき (90/65/55/40/28nm テクノロジーノードに適用され、チップ構造内に導電性銅線を形成)。

パラメータ

仕様	詳細
ウェーハサイズ	12インチ
ターゲットテクノロジーノード	90/65/55/40/28nm
コアプロセス	デュアルダマシン銅相互接続電気めっき
機器構成	-3 ロードポート -4 メッキ室 -4 洗浄室(EBR) -8 アニーリングチャンバー -2つの独立したバス配管システム
主要システム	- 自動酸混合システム -真空/ガスモジュール - 自動昇降陽極システム - めっき液温度制御(チラー2台)
オプション機能	めっき液分析 EC1
応用分野	半導体フロントエンド製造-