製品概要
この半自動 RTP 装置は非常に実用的で、8 ~ 12 インチのウェーハを処理できます。半自動 RTP 装置は、正確な温度制御と非常に低い酸素含有量を提供するため、高いプロセス純度を必要とする用途に最適です。さらに、大気処理方法と真空処理方法の両方をサポートする機能が豊富で、三重の安全機能が含まれています。{6}}これは、中量生産における ITO の最適化やシリサイド合金のアニーリングなどのプロセスに最適です。-
利点
幅広い適応性:
8~12インチのウェーハを扱い、さまざまなサイズのバッチ生産ニーズに対応します。柔軟なランプと SCR 構成は、さまざまなプロセス シナリオに適応します。
自動化により効率が向上:
手動によるウエハのロードおよびアンロードは引き続き必要ですが、プロセスの開始後にチャンバーのドアが自動的に開閉するため、手動による介入が減り、操作効率とプロセスの一貫性が向上します。
正確な雰囲気:
酸素含有量<1ppm, combined with 6-channel MFC, enables precise control of the reaction atmosphere, suitable for impurity-sensitive annealing processes.
安全で信頼性の高い:
自動チャンバードア制御と組み合わせた三重の安全機能を備え、運用およびプロセスのリスクを軽減し、装置の安定した稼働を保証します。
パラメータ
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モデル |
RTP-SA-8 |
RTP-SA-12 |
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ウェーハサイズ |
8インチ以下 |
12インチ以下 |
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サイズ |
970mm×1550mm×2160mm(幅×奥行き×高さ) |
1050mm×1740mm×2240mm (W×D×H) |
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温度範囲 |
RT~~800度(熱電対による制御) 500度~1250度(高温計による制御) |
RT~~800度(熱電対による制御) 500度~1250度(高温計による制御) |
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最大加熱速度 |
150度/s---ウェーハのみ 20度/s---SiCキャリア 30度/s---グラファイトキャリアコーティングSiC |
150度/s---ウェーハのみ 20度/s---SiCキャリア 30度/s---グラファイトキャリアコーティングSiC |
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温度均一性 |
±3度以下 @ 600度以下 >600度で±0.5%以下 |
±3度以下 @ 600度以下 >600度で±0.5%以下 |
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温度再現性 |
±1度 |
±1度 |
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ランプ/SCR の数 |
33個/10セット |
41個/16セット 55個/24セット |
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マックス MFC |
6 |
6 |
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最低圧力 |
30mTorr |
30mTorr |
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リーク率 |
10mTorr/分 |
10mTorr/分 |
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O2パーセンテージ |
<1ppm |
<1ppm |
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最大/平均電力 |
90/50Kw |
100/60Kw |
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電圧 |
380V/60HZ/三相5線 |
380V/60HZ/三相5線 |
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制御方法 |
PC制御 |
PC制御 |
よくある質問
1.チャンバードアが自動的に開閉しないのですが?
プロセスが正常に開始されたかどうかを確認します。機器を再起動して再度お試しください。問題が解決しない場合は、チャンバー ドア センサーの配線を確認してください。
2.酸素含有量が1ppmを超えていますか?
高純度の不活性ガスと交換してください。-ガスパイプラインに漏れがないか確認してください。酸素レベルを修復して再テストします。
3.ウェーハの加熱ムラはありませんか?
ウェハサイズが正しいことを確認してください (8/12 インチ)。石英チャンバーを清掃します。問題が解決しない場合は、エンジニアに連絡してランプ電力を調整してください。
4.手動ロード/アンロード中にウェハが滑りやすくなりますか?
キャリアの表面をきれいにします。ロード/アンロード中は、ウェーハを中心にゆっくりと押してください。 -滑りにくく、防塵性のある-手袋を着用してください。
5.緊急時の停止方法は?
「EMO緊急停止」を押して熱源を遮断します。問題を解決したら、「リセット」ボタンを押して再起動してください。
認証
◆ 適合性認証 SEMI S2

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