製品概要
当社の高温酸化 RTP 装置は、大規模な半導体製造における中核的な熱装置です。- CMOS、IGBT、MEMS デバイスの製造に適した、シリコン基板上にクリーンで緻密な SiO2 膜を作成するように特別に設計されています。
12-インチモデルの高温酸化RTP装置は、一般的に大型ウェーハの高度な量産に使用されますが、8インチモデルはさまざまな酸化方法に対応しており、主流の量産ニーズに十分対応します。これが 2 つの機器の基本的な違いです。
お客様のニーズに適した機械をお探しの場合は、お問い合わせください。
応用産業
半導体製造業（集積回路、ディスクリートデバイス、光電子デバイスなど）
新エネルギーエレクトロニクス産業（パワー半導体関連）
ハイエンド電子部品製造業-
半導体研究・試作分野（大学・研究機関）
応用製品
- コア半導体デバイス: CMOSチップ、IGBTパワーデバイス、MEMS微小電気機械システム、RFデバイスなど
- エンドユーザー関連製品: 5G 通信機器のコアコンポーネント、車載電子部品、家庭用電化製品チップ、産業用制御チップなど。
- 研究機器: 半導体新材料プロセス検証サンプル、最先端デバイスの研究開発プロトタイプなど-
利点
正確な温度制御 (±0.5 度)、安定したプロセス。
01
クリーンなチャンバー、信頼性の高い膜品質。
02
高効率のバッチ生産、柔軟な適応。-
03
柔軟なサイズ/プロセスの適応により、さまざまな量産ニーズに対応します。
04
パラメータ
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アイテム |
12インチモデル |
8インチモデル |
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ウェーハサイズ |
12インチ |
8インチ |
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タブレットのロード |
125 個以上/ボート |
8インチ量産ニーズに対応 |
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温度範囲 |
- |
600～1150度 |
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温度制御精度 |
±0.5度 |
±0.5度以下 |
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恒温域の長さ |
850mm以上 |
300～860mm |
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膜厚均一性 |
WIW/WTW/RTR ±2%以下 |
WIW ±2% 以下。 WTW ±2% 以下 |
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対象プロセス |
シリコン基板上への酸化膜の作製 |
乾燥酸素 (Si)、湿潤酸素 (急速蒸発/水浴/H2O 点火) |
よくある質問
この高温酸化 RTP 装置の主な目的は何ですか?{0}
半導体デバイスの主要構造の加工に適した、シリコン基板上に清浄で緻密な SiO2 膜を作成します。
12 インチ モデルと 8 インチ モデルの主な違いは何ですか?
12- インチ モデルは主に大型ウェーハの高度な量産向けであり、8 インチ モデルはさまざまな酸化プロセスに対応し、主流の量産ニーズをカバーします。
温度制御の精度と範囲はどのくらいですか?
温度制御は±0.5度の精度です。 8 インチ モデルの温度範囲は 600 ～ 1150 度で、主流の酸化プロセスのニーズを満たします。
単一のバッチ処理能力はどれくらいですか?{0}
12- インチ モデルはバッチあたり 125 枚以上のウェーハを保持できますが、8 インチ モデルは大規模な需要に対応できる効率を備えた大量生産に適しています。
どの半導体デバイスが適していますか?
CMOS、IGBT、MEMS などはすべて、絶縁層、バッファ層、その他の重要な構造として使用できます。
チャンバーの清浄度は保証されていますか?
専門的な材料と構造設計により、不純物のないフィルム調製の純度が保証されます。
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