ICP エッチャー

高いプラズマ密度 (10¹¹ ～ 10¹² cm-3) により、より速いエッチング速度 (最大 10,000 Å/min) とデュアル独立 RF 制御 (ソース + バイアス) を備えており、プラズマ密度とイオン エネルギーの正確な調整が可能です。これにより、優れた異方性、超低イオン損傷、エッチングの不均一性が実現されます。{{6}<±3%, outperforming traditional etchers in high-precision and complex process scenarios.

特殊基板用にカスタマイズ可能なサンプル ステージを備え、4/6/8/12- インチのシングル ウェーハ- またはマルチ- ウェーハの処理をサポートします。対象となる材料には、Si ベース (Si/SiO2/SiNₓ/SiC)、化合物半導体 (GaN/GaAs/InP/Ga2O3)、2D 材料 (グラフェン/MoS2/BN)、金属 (W/Ta/Mo)、ダイヤモンド、ポリマーが含まれます。

はい、柔軟な構成が可能です。オプションの Open-Load/Load-Lock サンプル処理、4 ～ 8 本の拡張可能なガス ライン、カスタマイズ可能な RF 出力範囲、-70 度から 200 度のウエハ ステージ温度制御、-エンドポイント モニタリング用の in situ OES などのアドオン-などです。研究や量産の要件に合わせて、コストまたはパフォーマンスを重視したビルドを利用できます。

最大 30:1 のアスペクト比、最大 150:1 の選択性 (SiO₂/Si など)、および 89 度以上の側壁の急峻性を達成しており、MEMS、TSV、および先進的な半導体デバイスにおける高アスペクト比の構造エッチングに最適です。--。

TMP ターボ分子ポンプとメカニカル ポンプの組み合わせが装備されており、5×10-7 Torr 以下のベース圧力と正確なプロセス圧力制御 (MFC 経由で 1 ～ 1000 mTorr) に達し、一貫したプラズマの安定性とエッチング品質を保証します。

はい、オプションの低バイアス プラズマ モードを提供しており、イオン衝突によるダメージを最小限に抑え、2D 材料、壊れやすい光電子デバイス、表面の完全性を維持する必要がある高性能半導体と互換性があります。{{2}

半導体/IC製造(トランジスタパターニング、TSVエッチング)、化合物半導体デバイス(GaNパワーエレクトロニクス、LEDレーザー)、MEMS/マイクロ流体工学、2D材料研究、生物医学デバイス処理(インプラント表面改質)などで広く使用されています。

コンパクトな統合設計の設置面積は約 1.0m×1.5m です。ユーティリティ要件には、標準電源、冷却水、きれいな乾燥空気、排気システムが含まれます。-詳細な仕様は、設置場所の準備のための設置前ガイドに記載されています。-

当社では、オンサイトでの設置、試運転、カスタマイズされたプロセスのトレーニングを提供しています。{0}グローバルなテクニカル サポート チームは、ダウンタイムを最小限に抑えるためにスペアパーツの供給と定期的なメンテナンス サービスを含む 24 時間年中無休のリモート アシスタンスを提供します。

これは 2 つの構成方向性を提供します。1 つは実験室研究に不可欠なコア コンポーネントを備えたコスト重視のビルド、もう 1 つは産業用量産向けのパフォーマンス重視のオプション（高出力 RF、高度なモニタリング モジュール）-で、さまざまなユーザー ニーズに合わせて最適なコスト効率を確保します。{{3}{4}{4}}