RIEエッチャー 12インチ

RIEエッチャー 12インチ

弊社の RIE エッチャー 12- インチ (反応性イオン エッチャー) は、弊社が独自に開発した精密ドライ エッチング装置で、高度なマイクロ- ナノ処理に特化して設計されています。その核心は、物理的なイオン衝撃と化学反応メカニズムを融合し、伝統的なエッチング技術を長らく悩ませてきた「精度と制御のバランス」の難しいボトルネックをついに突破します。
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説明

製品概要

 

弊社の RIE エッチャー 12- インチ (反応性イオン エッチャー) は、弊社が独自に開発した精密ドライ エッチング装置であり、高度なマイクロ- ナノ処理向けに特別に調整されています。-この技術の核心は、物理的なイオン衝撃と化学反応メカニズムを組み合わせたもので、従来のエッチング技術を長らく悩ませてきた、扱いにくい「精度-バランス制御」のボトルネックをついに突破します。優れた異方性エッチング能力と極めて高い材料選択性を誇り、-半導体製造、MEMS 開発、光電子デバイス製造の主要なプロセス ツールとなっています。-ハイエンドの研究室で研究を行っている場合でも、工業的な大量生産を強化している場合でも、このシリーズは信頼できる安定した信頼性の高いプロセス ソリューションを提供します。

 

アプリケーション

 

  1. 半導体製造: フロントエンドのトランジスタ パターニング、バックエンドの TSV エッチング、-チップ プロセスの縮小に必要な SOI 基板の処理-にこれを使用しています。-
  2. MEMS デバイス開発: マイクロ センサー、アクチュエーター、流体チップの正確な処理を実現し、シリコンやポリマー上に 3D 構造(アスペクト比最大 20:1)を確実にエッチングします。
  3. オプトエレクトロニクス産業: 光導波路、LED エピタキシャル ウェーハ、光検出器に使用されます。-緻密な構造制御により光効率が向上します。
  4. ナノテクノロジー研究: ALE 技術と組み合わせることで、2D 材料 (グラフェン、MoS₂) およびナノ- パターンに対して原子-レベルの材料除去-を非常に信頼性高く実行します。

 

利点

 

ユニ-ボディのデザイン コンセプト:

顕著な設置面積(基準 1.0m* 1.0m)-

チャンバー中央の均一なポンプダウン-:

プロセスパフォーマンスの向上

シャワーヘッドのガス供給-も設定できます:

プリセットパラメータとして個別にチューニング

プラズマ放電ギャップは次のように設定できます。

プリセットパラメータとして個別にチューニング

コストまたはパフォーマンスの重視はオプション:

RF、ポンプ、値など要件に応じて

サンプル処理はオプションです:

-ロードまたはロード-ロックを開きます

 

パラメータ

 

仕様

パラメータ

ウェーハサイズ範囲

4、6、8、12 インチまたはマルチ-ウェーハはオプション

エッチング材料

Si-系(Si/SiO2/SiNx/SiC/石英など)、化合物
(InP/GaN/GaAs/Ga2O3/ZnS等)、1D&2D材料
(MoS2/BN/グラフェン等)、金属(Au/Pt/W/Ta/Mo等)、
故障解析など

真空

TMP&メカニカルポンプ

RF電力

フルレンジ 300 ~ 1000W、オプション

ガスシステム

4 ライン (標準) またはカスタマイズされた

ウェーハ冷却

水冷またはHe背面冷却(オプション)

ウエハステージ
温度
範囲

-70度から200度まで、オプション

不均一性-

±5%以内(エッジ除外)

 

よくある質問

 

RIE エッチャー 12 インチではどのような種類の材料を処理できますか?

Si- ベースの材料、化合物半導体、1D&2D 材料、金属などをカバーしており、関連材料の故障解析もサポートしています。

どのようなウェーハサイズがサポートされていますか?

4/6/8/12- インチのウェーハおよびマルチウェーハ処理と互換性があり、特殊なサイズに合わせてカスタマイズされたソリューションを利用できます。

エッチングの均一性とは何ですか?

不均一性は-<±5% after edge exclusion, ensuring full-wafer processing consistency.

ウエハステージの温度範囲はどのくらいですか?

オプションの -70 度~200 度。-低温から高温の​​エッチング プロセスの要件を満たします。

標準構成にはガスラインが何本ありますか?カスタマイズできますか?

標準構成には 4 つのガス ラインが含まれており、複雑なプロセスのニーズに応じてカスタマイズおよび拡張できます。

RF電力範囲はどれくらいですか?

300 ~ 1000 W の全範囲をカバーし、オンデマンドで選択可能。

サンプルの取り扱い方法にはどのようなものがありますか?

オープン-ロードとロード-ロックの 2 つのオプションを提供し、さまざまな生産効率と環境制御のニーズに適応します。

どのような真空システムが搭載されていますか?

TMPターボ分子ポンプとメカニカルポンプの組み合わせを採用し、エッチングに必要な安定した真空環境を確保します。

設備のメンテナンスは便利ですか?

統合設計により内部構造が簡素化され、主要コンポーネントのメンテナンスが容易になり、ダウンタイムとメンテナンスの困難さが軽減されます。

プラズマの放電ギャップは調整できますか?

プロセス要件に応じてプリセットパラメータとして設定および調整して、正確なエッチング制御を実現できます。

コスト重視またはパフォーマンス重視の構成オプションをサポートしていますか?{0}

両方の構成をサポートします。 RF 電源、ポンプ、バルブなどの主要コンポーネントをオンデマンドで選択して、コストのバランスをとったり、パフォーマンスを向上させることができます。

ウエハ冷却方法のカスタマイズは可能ですか?

水冷と He 背面冷却の 2 つのオプションをサポートしており、特別なニーズに合わせてカスタマイズされたソリューションを利用できます。

 

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